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UGBT、MOSFET - 單
NGTB03N60R2DT4G參考圖片

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NGTB03N60R2DT4G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
9A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，3A
功率 - 最大值
49W
開關能量
50μJ（開），27μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
17nC
25°C 時 Td（開/關）值
27ns/59ns
測試條件
300V，3A，30 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
65ns
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 141A 543W TO-220
暫無價格
參考庫存:8839
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 510A 2300W TO247
暫無價格
參考庫存:41517
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 3600V 70A TO-247HV
暫無價格
參考庫存:10289
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 21A 167W TO247
暫無價格
參考庫存:9096
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 200W TO-247
暫無價格
參考庫存:8188
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