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UGBT、MOSFET - 單
IXYH100N65C3參考圖片

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IXYH100N65C3

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 650V 200A 830W TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
200A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
420A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.3V @ 15V，70A
功率 - 最大值
830W
開關能量
2.15mJ（開），840μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
164nC
25°C 時 Td（開/關）值
28ns/106ns
測試條件
400V，50A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，50A，3 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247（IXYH）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
暫無價格
參考庫存:6040
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 29A 80W TO220
暫無價格
參考庫存:41015
UGBT、MOSFET - 單
650V/60A IGBT FSII
暫無價格
參考庫存:6437
UGBT、MOSFET - 單
IGBT HB 600V 30A HS TO247
暫無價格
參考庫存:8622
UGBT、MOSFET - 單
IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4
暫無價格
參考庫存:6304
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