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UGBT、MOSFET - 單

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IXYQ40N65B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
86A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
195A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
300W
開關能量
800μJ（開），700μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
68nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/140ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
37ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 260W TO220
暫無價格
參考庫存:11931
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 12A 75W TO268
暫無價格
參考庫存:14458
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 40A 144W TO-247N
暫無價格
參考庫存:9990
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 375W
暫無價格
參考庫存:8947
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1350V 60A 394W TO247
暫無價格
參考庫存:9516
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