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UGBT、MOSFET - 單
HGTP5N120BND參考圖片

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HGTP5N120BND

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
21A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，5A
功率 - 最大值
167W
開關能量
450μJ（開），390μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
53nC
25°C 時 Td（開/關）值
22ns/160ns
測試條件
960V，5A，25 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
65ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 220W TO247AC
暫無價格
參考庫存:30788
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 60A 167W TO247
暫無價格
參考庫存:30796
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 400V 8SOP
暫無價格
參考庫存:30804
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
暫無價格
參考庫存:30812
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
暫無價格
參考庫存:30820
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