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UGBT、MOSFET - 單
STGD3NB60SDT4參考圖片

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STGD3NB60SDT4

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
PowerMESH?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
25A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.5V @ 15V，3A
功率 - 最大值
48W
開關能量
1.15mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
18nC
25°C 時 Td（開/關）值
125μs/-
測試條件
480V，3A，1 千歐，15V
反向恢復時間（trr）
1.7μs
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 321W TO247AC
暫無價格
參考庫存:38938
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 16A IPAK
暫無價格
參考庫存:38946
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W PLUS247
暫無價格
參考庫存:38954
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:38962
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 420V 30A 150W I2PAK
暫無價格
參考庫存:38970
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