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IGBT - 陣列

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FII30-12E

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
NPT
配置
半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
33A
功率 - 最大值
150W
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.9V @ 15V，20A
電流 - 集電極截止（最大值）
200μA
不同Vce 時的輸入電容（Cies）
1.2nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
i4-Pac?-5
供應商器件封裝
ISOPLUS i4-PAC?
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
暫無價格
參考庫存:43179
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
暫無價格
參考庫存:43187
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
暫無價格
參考庫存:43195
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
暫無價格
參考庫存:1167
IGBT - 陣列
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
暫無價格
參考庫存:1244
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