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FET，MOSFET - 陣列

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DMT6018LDR-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
2 N-通道（雙）
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8.8A（Ta）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
17 毫歐 @ 8.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
13.9nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
869pF @ 30V
功率 - 最大值
1.9W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
V-DFN3030-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
暫無價格
參考庫存:44953
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220
暫無價格
參考庫存:44969
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:44977
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:44985
FET，MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP
暫無價格
參考庫存:44993
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