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產(chǎn)品分類

FET,MOSFET - 陣列
SI4963BDY-T1-GE3參考圖片

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SI4963BDY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
2 個 P 溝道(雙)
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
4.9A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
32 毫歐 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
21nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
8-SO
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SI4963BDY-T1-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
暫無價格
參考庫存:49684
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
暫無價格
參考庫存:49692
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
暫無價格
參考庫存:49700
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
暫無價格
參考庫存:49710
FET,MOSFET - 陣列
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
暫無價格
參考庫存:3490
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