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FET,MOSFET - 陣列
SI7900AEDN-T1-GE3參考圖片

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SI7900AEDN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
2 N 溝道(雙)共漏
FET 功能
邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
6A
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
26 毫歐 @ 8.5A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
16nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8 雙
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK? 1212-8 雙
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,SI7900AEDN-T1-GE3的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
暫無價(jià)格
參考庫存:41655
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
暫無價(jià)格
參考庫存:41663
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
暫無價(jià)格
參考庫存:41679
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
暫無價(jià)格
參考庫存:41703
FET,MOSFET - 陣列
MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8
暫無價(jià)格
參考庫存:41719
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