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FET，MOSFET - 射頻

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MRF282SR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 65V 2GHZ NI-200S
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11.5dB
電壓 - 測試
26V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
75mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-200S
供應商器件封裝
NI-200S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
暫無價格
參考庫存:31762
FET，MOSFET - 射頻
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
暫無價格
參考庫存:31770
FET，MOSFET - 射頻
GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
暫無價格
參考庫存:31778
FET，MOSFET - 射頻
30W, SI LDMOS IC , 50V, 575-960M
暫無價格
參考庫存:31786
FET，MOSFET - 射頻
TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B
暫無價格
參考庫存:3916
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