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參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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-
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零件狀態
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停產
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晶體管類型
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E-pHEMT
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頻率
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2GHz
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增益
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14.8dB
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電壓 - 測試
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4.5V
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額定電流(安培)
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1A
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噪聲系數
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1.4dB
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電流 - 測試
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200mA
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功率 - 輸出
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30dBm
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電壓 - 額定
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7V
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封裝/外殼
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8-WFDFN 裸露焊盤
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供應商器件封裝
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8-LPCC(2x2)
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2
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暫無價格
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參考庫存:10766
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FET,MOSFET - 射頻
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TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B
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暫無價格
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參考庫存:11098
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FET,MOSFET - 射頻
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IC AMP RF LDMOS
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暫無價格
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參考庫存:38886
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FET,MOSFET - 射頻
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JFET N-CH 30V 13MA TO92
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暫無價格
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參考庫存:38910
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FET,MOSFET - 射頻
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2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
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暫無價格
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參考庫存:38918
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