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FET，MOSFET - 射頻

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MRF282ZR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11.5dB
電壓 - 測試
26V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
75mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-200Z
供應商器件封裝
NI-200Z
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
暫無價格
參考庫存:36144
FET，MOSFET - 射頻
RF PWR MOSFET 1000V 13A
暫無價格
參考庫存:36168
FET，MOSFET - 射頻
150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH
暫無價格
參考庫存:36176
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4
暫無價格
參考庫存:36192
FET，MOSFET - 射頻
200W 32V HF TO 1.3GHZ LDMOS TRAN
暫無價格
參考庫存:36200
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