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FET,MOSFET - 射頻

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BLP10H660PY

  • Ampleon USA Inc.
  • 最新
  • RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
1GHz
增益
18dB
電壓 - 測試
50V
額定電流(安培)
1.4μA
噪聲系數
-
電流 - 測試
40mA
功率 - 輸出
60W
電壓 - 額定
110V
封裝/外殼
SOT-1223-2
供應商器件封裝
4-HSOPF
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 射頻
RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
暫無價格
參考庫存:35216
FET,MOSFET - 射頻
RF MOSFET TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:35240
FET,MOSFET - 射頻
IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1
暫無價格
參考庫存:35256
FET,MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
暫無價格
參考庫存:35264
FET,MOSFET - 射頻
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2
暫無價格
參考庫存:35272
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