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FET，MOSFET - 射頻
A2I08H040GNR1參考圖片

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A2I08H040GNR1

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC RF LDMOS AMP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
920MHz
增益
30.7dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
25mA
功率 - 輸出
9W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
TO-270-15 變型，鷗翼
供應商器件封裝
TO-270WBG-15
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
JFET N-CH 30V 15MA TO92
暫無價格
參考庫存:35938
FET，MOSFET - 射頻
JFET N-CH 30V TO92
暫無價格
參考庫存:35946
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 66V 880MHZ NI-780
暫無價格
參考庫存:35954
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 110V 860MHZ TO272-4
暫無價格
參考庫存:35962
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
暫無價格
參考庫存:35970
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