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參數 | 參數值 |
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包裝
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托盤
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系列
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GaN
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零件狀態
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有源
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晶體管類型
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HEMT
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頻率
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2.11GHz ~ 2.2GHz
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增益
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19dB
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電壓 - 測試
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48V
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額定電流(安培)
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-
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噪聲系數
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-
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電流 - 測試
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320mA
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功率 - 輸出
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270W
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電壓 - 額定
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125V
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封裝/外殼
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H-87265J-2
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供應商器件封裝
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H-87265J-2
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 射頻
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IC TRANS RF LDMOS
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暫無價格
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參考庫存:38086
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FET,MOSFET - 射頻
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RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C
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暫無價格
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參考庫存:10254
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FET,MOSFET - 射頻
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RF MOSFET TRANSISTORS
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暫無價格
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參考庫存:38112
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FET,MOSFET - 射頻
|
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
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暫無價格
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參考庫存:10012
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FET,MOSFET - 射頻
|
FET RF NCH 170V 30MHZ M174
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暫無價格
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參考庫存:38122
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