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FET，MOSFET - 射頻

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A3T18H455W23SR6

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益
16.7dB
電壓 - 測試
30V
額定電流（安培）
10μA
噪聲系數
-
電流 - 測試
600mA
功率 - 輸出
192W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
ACP-1230S-4L2S
供應商器件封裝
ACP-1230S-4L2S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
暫無價格
參考庫存:43548
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
暫無價格
參考庫存:43556
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
暫無價格
參考庫存:43572
FET，MOSFET - 射頻
GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND
暫無價格
參考庫存:43580
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780
暫無價格
參考庫存:43596
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