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FET,MOSFET - 單個
IPD60R400CEATMA1參考圖片

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IPD60R400CEATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
CoolMOS? CE
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
10.3A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
400 毫歐 @ 3.8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
32nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
700pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252-3
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:38253
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
暫無價格
參考庫存:38261
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
暫無價格
參考庫存:38269
FET,MOSFET - 單個
MOS DISCRETES
暫無價格
參考庫存:38277
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
暫無價格
參考庫存:38285
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