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FET，MOSFET - 單個
MVB50P03HDLT4G參考圖片

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MVB50P03HDLT4G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 25A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
100nC @ 5V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4.9nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK-3
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:8366
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:5468
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
暫無價格
參考庫存:12290
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
暫無價格
參考庫存:5122
FET，MOSFET - 單個
N-CHANNEL,MOSFETS,DFN5060 PACKAG
暫無價格
參考庫存:29530
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