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FET,MOSFET - 單個
SI4466DY-T1-GE3參考圖片

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SI4466DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
9.5A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
9 毫歐 @ 13.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
60nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
±12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
暫無價格
參考庫存:106260
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
暫無價格
參考庫存:16262
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
暫無價格
參考庫存:151264
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
暫無價格
參考庫存:13151
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:13768
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