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FET，MOSFET - 單個
SI6473DQ-T1-E3參考圖片

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SI6473DQ-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12.5 毫歐 @ 9.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
450mV @ 250μA（最小）
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
70nC @ 5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSSOP
封裝/外殼
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
暫無價格
參考庫存:50873
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V TO-220
暫無價格
參考庫存:50881
FET，MOSFET - 單個
LOW POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:50889
FET，MOSFET - 單個
DIFFERENTIATED MOSFETS
暫無價格
參考庫存:50897
FET，MOSFET - 單個
CONSUMER
暫無價格
參考庫存:50921
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