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FET，MOSFET - 單個

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R6035ENZM12C8

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
102 毫歐 @ 18.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
110nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2.72nF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3
封裝/外殼
TO-3P-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 10A TO252
暫無價格
參考庫存:46788
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP-ADV
暫無價格
參考庫存:46796
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
暫無價格
參考庫存:46804
FET，MOSFET - 單個
P-CHANNEL MOSFET, DFN3030
暫無價格
參考庫存:46820
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 8A TO220
暫無價格
參考庫存:46828
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