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FET，MOSFET - 單個
IPI60R190C6XKSA1參考圖片

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IPI60R190C6XKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
190 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 630μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
63nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1400pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO262-3
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
暫無價格
參考庫存:55907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:55915
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
暫無價格
參考庫存:55923
EPC
FET，MOSFET - 單個
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
暫無價格
參考庫存:55931
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
暫無價格
參考庫存:55963
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