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FET，MOSFET - 單個
RDN080N25FU6參考圖片

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RDN080N25FU6

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
500 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
30nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
543pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FN
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:29048
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:29056
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:29064
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29072
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 30A POWER56
暫無價格
參考庫存:29080
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