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FET，MOSFET - 單個
RDN100N20參考圖片

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RDN100N20

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
360 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
30nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
543pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FN
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
暫無價格
參考庫存:103504
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
暫無價格
參考庫存:7996
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
暫無價格
參考庫存:4795
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:8089
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
暫無價格
參考庫存:8276
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