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FET,MOSFET - 單個
BSZ019N03LSATMA1參考圖片

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BSZ019N03LSATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
22A(Ta). 40A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
1.9 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
44nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2800pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),69W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TSDSON-8-FL
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
暫無價格
參考庫存:41403
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41411
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
暫無價格
參考庫存:41419
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:41427
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
暫無價格
參考庫存:41435
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