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FET，MOSFET - 單個
SIHP24N65EF-GE3參考圖片

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SIHP24N65EF-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
156 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
122nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2656pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK
暫無價格
參考庫存:55819
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK
暫無價格
參考庫存:55835
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
暫無價格
參考庫存:9907
FET，MOSFET - 單個
T6 60V LL DPAK
暫無價格
參考庫存:222412
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
暫無價格
參考庫存:55863
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