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FET，MOSFET - 單個
SIHU4N80E-GE3參考圖片

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SIHU4N80E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHAN 800V TO-251
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
E
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.27 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
622pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
69W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
IPAK（TO-251）
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
暫無價格
參考庫存:47183
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:15110
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:47235
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212
暫無價格
參考庫存:47243
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
暫無價格
參考庫存:8442
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