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FET，MOSFET - 單個

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BSM300C12P3E201

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 80mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5.6V @ 80mA
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
15000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1360W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
暫無價格
參考庫存:3564
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
暫無價格
參考庫存:5371
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
暫無價格
參考庫存:5068
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
暫無價格
參考庫存:3370
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 5A
暫無價格
參考庫存:2322
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