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FET，MOSFET - 單個
R6504ENJTL參考圖片

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R6504ENJTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.05 歐姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 130μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
15nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
220pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
暫無價格
參考庫存:48123
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:48131
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
暫無價格
參考庫存:48155
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
暫無價格
參考庫存:48171
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:48227
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