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FET，MOSFET - 單個

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VMO650-01F

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
HiPerFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
690A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.8 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 130mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
2300nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
59000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2500W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
Y3-DCB
封裝/外殼
Y3-DCB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN
暫無價格
參考庫存:43907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
暫無價格
參考庫存:43915
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:43931
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:43939
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:43947
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