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FET，MOSFET - 單個
IXTY1N80P參考圖片

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IXTY1N80P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
Polar?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
14 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
9nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
暫無價格
參考庫存:19166
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
暫無價格
參考庫存:45985
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CHANNEL 40V 33A ATPAK
暫無價格
參考庫存:33184
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 40V 95A TO252
暫無價格
參考庫存:15686
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
暫無價格
參考庫存:53188
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