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FET，MOSFET - 單個
STD100N10F7參考圖片

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STD100N10F7

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
DeepGATE?，STripFET? VII
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
61nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4369pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
暫無價格
參考庫存:56744
FET，MOSFET - 單個
MOSFET PCH 60V 8SO
暫無價格
參考庫存:56752
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
暫無價格
參考庫存:56760
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
暫無價格
參考庫存:32298
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
暫無價格
參考庫存:62308
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