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FET,MOSFET - 單個
R6004ENJTL參考圖片

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R6004ENJTL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
980 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
15nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
250pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優勢價格,R6004ENJTL的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
暫無價格
參考庫存:44323
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
暫無價格
參考庫存:44347
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
暫無價格
參考庫存:44365
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:44381
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT223
暫無價格
參考庫存:44389
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