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FET，MOSFET - 單個
BSM180C12P2E202參考圖片

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BSM180C12P2E202

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiC（碳化硅結晶體管）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
204A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4V @ 35.2mA
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
20000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1360W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 3A 4WLCSP
暫無價格
參考庫存:48225
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8DFN
暫無價格
參考庫存:48233
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V TO220
暫無價格
參考庫存:48249
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
暫無價格
參考庫存:48257
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
暫無價格
參考庫存:48273
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