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FET，MOSFET - 單個
CSD18536KTTT參考圖片

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CSD18536KTTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
NexFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Ta），349A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.6 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
140nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
11430pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
封裝/外殼
TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
4V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPONDS
暫無價格
參考庫存:13618
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
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FET，MOSFET - 單個
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EPC
FET，MOSFET - 單個
TRANS GAN 100V DIE 4MOHM
暫無價格
參考庫存:38624
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6
暫無價格
參考庫存:16126
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