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FET，MOSFET - 單個
SI8812DB-T2-E1參考圖片

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SI8812DB-T2-E1

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
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參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
59 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
17nC @ 8V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-Microfoot
封裝/外殼
4-UFBGA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 6.6A
暫無價格
參考庫存:37551
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V SOT23
暫無價格
參考庫存:37559
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
暫無價格
參考庫存:37567
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
暫無價格
參考庫存:37591
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
暫無價格
參考庫存:37599
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