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FET,MOSFET - 單個(gè)
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FJ6K01010L

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
4A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
34 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
1V @ 1mA
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
1400pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
WS迷你型6-F1-B
封裝/外殼
6-SMD,扁平引線
商品其它信息
優(yōu)勢價(jià)格,F(xiàn)J6K01010L的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
暫無價(jià)格
參考庫存:49443
FET,MOSFET - 單個(gè)
SMALL SIGNAL+P-CH
暫無價(jià)格
參考庫存:49451
FET,MOSFET - 單個(gè)
FET ENGR DEV-NOT REL
暫無價(jià)格
參考庫存:49459
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
暫無價(jià)格
參考庫存:49467
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
暫無價(jià)格
參考庫存:49475
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