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FET,MOSFET - 單個
TP65H035WS參考圖片

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TP65H035WS

  • Transphorm
  • 最新
  • GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET(共源共柵氮化鎵 FET)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
46.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
12V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
41 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
36nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1500pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
156W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
暫無價格
參考庫存:37661
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:37669
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
暫無價格
參考庫存:37685
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
暫無價格
參考庫存:37693
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
暫無價格
參考庫存:37701
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