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FET,MOSFET - 單個
IRFB61N15DPBF參考圖片

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IRFB61N15DPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HEXFET?
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
60A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
32 毫歐 @ 36A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
140nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3470pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),330W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優勢價格,IRFB61N15DPBF的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
暫無價格
參考庫存:41659
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
暫無價格
參考庫存:41667
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
暫無價格
參考庫存:41699
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
暫無價格
參考庫存:41707
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
暫無價格
參考庫存:41715
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