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FET，MOSFET - 單個
FDB86363-F085參考圖片

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FDB86363-F085

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 80V 110A TO263
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
汽車級，AEC-Q101，PowerTrench?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
110A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
150nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
10000pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
暫無價格
參考庫存:42397
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
暫無價格
參考庫存:42405
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
暫無價格
參考庫存:42413
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42421
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42429
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