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FET，MOSFET - 單個
IPP60R080P7XKSA1參考圖片

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IPP60R080P7XKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolMOS? P7
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
37A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
80 毫歐 @ 11.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 590μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2180pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
129W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
暫無價格
參考庫存:35948
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35956
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35964
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:35972
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:35980
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