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FET，MOSFET - 單個
RQ6E055BNTCR參考圖片

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RQ6E055BNTCR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
8.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
355pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TSMT6（SC-95）
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50438
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
暫無價格
參考庫存:50446
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 9A BGA
暫無價格
參考庫存:50454
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
暫無價格
參考庫存:50462
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:50470
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