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FET，MOSFET - 單個
DMN2005UFG-13參考圖片

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DMN2005UFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
18.1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.6 毫歐 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
164nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6495pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.05W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerDI3333-8
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
暫無價格
參考庫存:53190
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:53198
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:53206
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
暫無價格
參考庫存:53214
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
暫無價格
參考庫存:53222
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