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FET，MOSFET - 單個
RT1E040RPTR參考圖片

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RT1E040RPTR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
45 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
550mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-TSST
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
暫無價格
參考庫存:46847
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
暫無價格
參考庫存:46855
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
暫無價格
參考庫存:46863
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 6TSOP
暫無價格
參考庫存:46895
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
暫無價格
參考庫存:46903
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