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FET，MOSFET - 單個
BSZ018NE2LSIATMA1參考圖片

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BSZ018NE2LSIATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
系列
OptiMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
22A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），69W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TSDSON-8-FL
封裝/外殼
8-PowerTDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
暫無價格
參考庫存:42300
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RJ1G12BGN IS A POWER MOSFET WITH
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參考庫存:14296
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
暫無價格
參考庫存:42326
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