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FET，MOSFET - 單個
SISS60DN-T1-GE3參考圖片

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SISS60DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50.1A（Ta），181.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.31 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
85.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
+16V，-12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3960pF @ 15V
FET 功能
肖特基二極管（體）
功率耗散（最大值）
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8S
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8S
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:40560
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:33074
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 40V 50A
暫無價格
參考庫存:13078
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
暫無價格
參考庫存:33084
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:57946
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