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FET，MOSFET - 單個
R6010ANX參考圖片

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R6010ANX

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FM
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
暫無價格
參考庫存:33767
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
暫無價格
參考庫存:33783
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
暫無價格
參考庫存:33799
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 14A TO-220F
暫無價格
參考庫存:33807
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
暫無價格
參考庫存:33815
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