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FET,MOSFET - 單個
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CSD19538Q2T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
NexFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
13.1A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
59 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
5.6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
454pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta), 20.2W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-WSON(2x2)
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CSD19538Q2T的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:36127
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
暫無價格
參考庫存:36135
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO3FHY
暫無價格
參考庫存:36143
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:36151
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:36159
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