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參數 | 參數值 |
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包裝
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管件
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系列
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-
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零件狀態(tài)
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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1200V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
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3A(Tc)
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驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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10V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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4.5 歐姆 @ 1.5A,10V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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5V @ 250μA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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42nC @ 10V
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Vgs(最大值)
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±20V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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1350pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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200W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應商器件封裝
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TO-263(IXTA)
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封裝/外殼
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
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暫無價格
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參考庫存:30321
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
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暫無價格
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參考庫存:30345
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 55V 17A 3.8/45W DPAK
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暫無價格
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參考庫存:30369
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
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暫無價格
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參考庫存:30377
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
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暫無價格
|
參考庫存:30385
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