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FET,MOSFET - 單個(gè)
MCU10N10-TP參考圖片

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MCU10N10-TP

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
9.6A
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
140 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
15.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
690pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,MCU10N10-TP的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
暫無價(jià)格
參考庫存:25905
FET,MOSFET - 單個(gè)
LOW POWER_LEGACY
暫無價(jià)格
參考庫存:25913
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
暫無價(jià)格
參考庫存:25921
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:25929
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
暫無價(jià)格
參考庫存:25937
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